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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
150 ° C
10
10
10
0
-1
Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ° C
0
25 ° C
-55 ° C
Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
10
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
1
0
0.6
0.4
0.2
V GS = 20V
Note : T J = 25 ° C
150 ° C
25 ° C
Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
3000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
2000
C oss
Notes :
8
6
1000
C iss
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
Note : I D = 7A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP7N60 / FCPF7N60 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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